| Marca | SAMSUNG |
|---|---|
| Série | 9100 PRO |
| Modelo | MZ-VAP4T0B/AM |
| Tipo de dispositivo | Unidade de estado sólido (SSD) interna |
| Usado para | Consumidor |
| Fator de forma | M.2 2280 |
|---|---|
| Capacidade | 4 TB |
| Componentes de memória | Samsung V NAND TLC (V8) |
| Interface | PCI-Express 5.0 x4 |
| Protocolo | NVMe 2.0 |
| Controlador | Controlador interno |
| Cache | 4 GB LPDDR4X |
| Encriptação | Classe 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667) |
| Leitura sequencial máxima | Até 14800 MBps |
|---|---|
| Gravação sequencial máxima | Até 13400 MBps |
| Leitura aleatória de 4 KB | Até 2.200.000 IOPS |
| Gravação aleatória de 4 KB | Até 2.600.000 IOPS |
| Terabytes gravados (TBW) | 2400 TB |
| Dissipador de calor | sem dissipador de calor |
| Consumo de energia (ocioso) | Suspensão do dispositivo de 5,7 mW (L1.2) |
|---|---|
| Consumo de energia (ativo) | 9,0 W / 8,2 W (leitura/gravação) |
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